Китай зробив великий крок у своєму поштовху до промисловості пам'яті IC. Три великі китайські компанії готуються до пробного виробництва DRAM і NAND flash у другій половині 2018 року. YMTC, Innotron (Hefei Chang Xin) та JHICC планують розпочати пробне виробництво NAND Flash, DRAM і DRAM відповідно. у другій половині 2018 року, за даними DRAMeXchange, ділиться підрозділ TrendForce . Масове виробництво піде в першій половині 2019 року, що стало першим місцем виробництва Китаю.
Обладнання було встановлене на фабриці Innotron в третьому кварталі (Q3) 2017 року, згідно з DRAMeXchange, але компанія відклала пробне виробництво до Q3 2018 року, за яким піде масове виробництво у першій половині (1H) 2019 року.
Компанія JHICC, орієнтована на спеціальність DRAM, також відклала своє пробне виробництво до 3 кварталу 2018 року та масове виробництво до 1-го 2019 року.
Innotron та JHICC відстають у своїх оголошених графіках, повідомляє DRAMeXchange.
Innotron може зіткнутися з іншими проблемами. Спостерігачі промисловості не думають, що китайські виробники IC-пам'яті зможуть розвивати передові технології, не порушуючи патентів або утворюючи спільне підприємство.
"Innotron, мабуть, прагне конкурувати з провідними постачальниками DRAM, вибравши перший продукт LPDDR4 8Gb, але є велика ймовірність того, що Innotron матиме потенційні проблеми порушення патенту", - сказав DRAMeXchange. «Щоб уникнути аргументів, Innotron повинна накопичувати IP-адреси, які визнані міжнародними законами. Інший більш безпечний підхід полягає в тому, щоб продавати продукцію тільки на внутрішньому ринку з самого початку ».
Капітальні витрати Samsung зупинять « будь-які надії на те, що китайські компанії, можливо, стануть значними гравцями на ринку 3D NAND або DRAM », і «просто гарантує, що без якогось спільного підприємства з великим існуючим об'ємом пам'яті, нові китайські стартапи пам'яті мають невеликі шанси конкурувати на тому ж рівні, що й сьогоднішні провідні постачальники, - сказав минулого року Білл Маклін, президент IC Insights.
«Навіть якщо б вони самі розробляли передові технології, нові китайські постачальники майже напевно порушили б численні патенти DRAM і NAND, які володіють Samsung, SK Hynix, Micron і т.д.», - додав він.
У сегменті флеш-пам'яті NAND YMTC планує побудувати три виробничих заводу 3D-NAND послідовно в три етапи. Перша фаза була завершена у вересні 2017 року з встановленням обладнання, запланованим у третьому кварталі 2018 року, після чого було проведено пробне виробництво у четвертому кварталі, повідомляє DRAMeXchange. Завод буде виробляти 32-шарову MLC 3D-NAND Flash. Очікується, що старт вафель не перевищить 10 000 на місяць.
«Будівництво заводів другого і третього етапів та їх виробничі плани відбуватимуться відповідно до ситуації після того, як YMTC вдосконалить свій 64-слойний дизайн», - сказав DRAMeXchange.
